Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов

Москва: Наука, 1982. — 208 с.В монографии систематизированы данные по импульсному отжигу полупроводниковых материалов, в основном по отжигу имплантированных ионами слоев наносекундными, миллисекундными импульсами и сканирующими лучами. Основное внимание уделено отжигу радиационных дефектов и кристаллизации разупорядоченных слоев, активации и перераспределению примеси. Приводятся типовые расчеты тепловых полей, их релаксации и описание техники импульсных отжигов. Обсуждаются дискуссионные вопросы о влиянии атермических факторов, выделены нерешенные проблемы, приведены примеры практического использования импульсных обработок.
Монография является введением в новую быстро развивающуюся область — ионно-импульсную модификацию материалов. Она рассчитана на специалистов — физиков и инженеров, занимающихся проблемами твердотельной электроники.Предисловие.
Список наиболее часто встречающихся сокращений.
Взаимодействие импульсов излучения с твердым телом.
Характеристики светового излучения.
Особенности корпускулярного излучения.
Эффекты, возникающие при действии импульсов лазера на твердые тела.
Действие мощных лазерных импульсов на полупроводники.
Литература.
Техника импульсного отжига.
Расчеты температурных полей в полупроводниках.
Установки, использующие одиночные лазерные импульсы и импульсы электронов.
Установки, предназначенные для обработки больших площадей.
Литература.
Импульсный отжиг радиационных нарушений.
Особенности импульсного отжига структурных несовершенств.
Кристаллизация аморфизированных слоев импульсами миллисекундной длительности.
Отжиг частично разупорядоченных слоев импульсами миллисекундной длительности.
Отжиг имплантированных слоев сканирующими» лазерными лучами.
Кристаллизация аморфизированных слоев импульсами наносекундной длительности.
Отжиг частично разупорядоченных слоев импульсами наносекундной длительности.
Структурные несовершенства в приповерхностных слоях после импульсного отжига.
О роли атермических факторов при импульсном отжиге.
Литература.
Поведение примеси в имплантированных слоях после импульсного отжига.
Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в миллисекундном диапазоне.
Распределение по глубине и растворимость примеси при отжиге в наносекундном диапазоне.
Механизмы перераспределения примеси.
Факторы, определяющие форму профиля примеси.
Электрические характеристики отожженных слоев.
Литература.