Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов

М.: Металлургия, 1982. — 352 с.Изложены основы термодинамики необратимых процессов и общие закономерности кинетики гомогенных и гетерогенных процессов, в которых наиболее существенное значение имеют процессы тепло- и массопереноса в неподвижной и движущейся средах.
Рассмотрены процессы получения монокристаллов и эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов, а также процессы зародышеобразования, роста кристаллов и причины возникновения дефектов структуры.
Даны алгоритмы и блок схемы для решения задач.
Для научных работников, инженеров и студентов, занимающихся получением монокристаллов и эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов.Предисловие.
Общие закономерности процессов получения полупроводниковых материалов.
Термодинамика фазовых равновесий.
Термодинамика необратимых процессов.
Массо- и теплообмен в неподвижной среде.
Конвективный тепло- и массообмен. Кинетика гетерогенных процессов.
Основы атомно-молекулярных процессов кристаллизации.
Передача теплоты излучением.
Процессы получения полупроводниковых материалов.
Процессы получения пленок, эпитаксиальных слоев и монокристаллов дистилляцией и сублимацией.
Процессы ректификации и абсорбции.
Процессы получения эпитаксиальных слоев и высокочистых элементов водородным восстановлением.
Процессы получения эпитаксиальных слоев и монокристаллов методом химических транспортных реакций.
Процессы кристаллизации из расплавов.
Процессы кристаллизации из растворов-расплавов.
Рекомендательный библиографический список.