Моряков О.С., Квасков В.Б., Горбачев В.В., Зезин Р.Б., Храброва Т.В. Природные алмазы в полупроводниковой электронике

Москва: ЦНИИ Электроника, 1975. — 1988. — 36 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 4 (1342)).Обзор посвящен применению природных алмазов в качестве активных и пассивных элементов в полупроводниковой электронике.
Рассмотрены алмазные теплоотводы: теплофизические характеристики; способы обработки сырья; металлизация и крепление; эмиттеры с отрицательным электронным сродством; оптоэлектронные переключатели на алмазах различных типов и достижимые электрические параметры. Приведены физические свойства поверхности в контакте с металлическими электродами, а также функциональные возможности n-p-n-структуры на алмазе в качестве биполярного транзистора.
Обзор предназначен для инженеров и научных работников, специализирующихся в области разработки полупроводниковых приборов.Введение.Алмазные теплоотводы для полупроводниковых приборов.
Теплопроводность и дефекты структуры алмаза.
Методы определения теплопроводности.
Методы обработки алмазного сырья для теплоотводов.
Металлизация и крепление теплоотводов.Природные алмазы в качестве активных элементов электроники.
Отрицательное электронное сродство и структура поверхности (111).
Оптоэлектронное переключение в природных алмазах.
Субнаносекундное переключение в алмазе типа Пв.
Оптоэлектронные переключатели на основе алмаза типа Па.
Полупроводниковые структуры с потенциальными барьерами.Заключение.
Список литературы.