Величко А.А., Илюшин В.А. Механизмы роста, структура и электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев арсенида индия, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Москва: ЦНИИ "Электроника", 1990. — 50 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 9 (1574)).Рассмотрены опубликованные в отечественной и зарубежной печати данные об особенностях получения слоев арсенида индия методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках арсенида галлия с ориентацией поверхности (001), механизмы зарождении пленок InAs, их морфология, структура и электрофизические свойства в зависимости от ростовых условий. Основное внимание при этом уделено выбору оптимальных условий получения гетероэпитаксиальных пленок арсенида индия с высокими электрофизическими параметрами, структурой и морфологией поверхности.
Составлен по материалам отечественной и зарубежной литера туры за 1978—1989 годы.
Для инженеров-технологов, специалистов, преподавателей, аспирантов и студентов.Введение.
Кинетика осаждения InAs на GaAs.
Начальная стадия гетероэпитаксии пленок InAs на GaAs.
Электрофизические свойства объемного арсенида индия.
Электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев арсенида индия на GaAs (001).
Выводы.
Литература.