Стрельченко С.С., Матяш А.А. Современное состояние исследований механизма роста эпитаксиальных слоёв кремния и соединений AIIIBV из газовой фазы. Часть 1. Элементарные процессы на поверхности монокристаллов, растущих из газовой фазы

Москва: ЦНИИ Электроника, 1984. — 37 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 5 (1041)).Приведены литературные данные по исследованию механизмов роста из газовой фазы эпитаксиальных слоев кремния. Рассмотрены результаты применения к решению этой проблемы методов химической кинетики гетерогенных реакций и теории роста кристаллов. Показано, что использование такого подхода позволило во многих случаях разработать качественные к количественные модели механизмов роста эпитаксиальных слоев кремния и соединений A^IIIB^V из газовой фазы. Разработка таких моделей позволяет оптимизировать существующие методы получения эпитаксиальных слоев A^IIIB^V, а также создает научную основу для выбора режимов их роста новыми методами. Для специалистов, инженеров-технологов, преподавателей, аспирантов и студентов.Введение.
Общие закономерности роста монокристаллов из газовой фазы.
Идеальная и реальная подвижность кремния в соединении A^IIIB^V.
Физические и физико-химические процессы на поверхности монокристаллов, растущих из газовой фазы.
Исследование механизма эпитаксиального роста кремния из газовой фазы.
Список использованной литературы.