Афанасович В.Ф., Королева Е.А. Кремний-88

Реферативный обзор. — М.: ОНТИ, 1988. — 55 с.Рассматривается производство монокристаллов кремния большого диаметра для полупроводниковых приборов. Отмечается тенденция использования монокристаллов кремния с низкой концентрацией углерода. Приводится современный уровень технологии подготовки поверхности полупроводниковых пластин при производстве СБИС, а также использование эпитаксиального наращивания для изготовления сложных структур. Для специалистов, инженеров-технологов, преподавателей, аспирантов и студентов.Введение
Монокристаллы
Новый метод получения монокристаллов фирмы Toshiba
Кремний фирмы Komatsu
поликристаллы
монокристаллы
нейтронно-легированный кремний
высокоомный кремний-U
Кремний фирмы Wacker Chem.
монокристаллы, полученные зонной плавкой
нейтронно-легированный кремний
высокоомный кремний
Новая установка фирмы Кауех
Материалы печей для выращивания кристаллов кремния с низкой концентрацией углерода
Подложки
Общие тенденции процесса подготовки подложек
Цены
Современный уровень технологии подготовки поверхности полупроводниковых пластин при производстве СБИС
Кремниевые пластины фирмы Komatsu
Кремниевые пластины фирмы Wacker Chem.
технические характеристики и геометрические параметры пластин, изготовленных из монокристаллов, полученных методом Чохральского
технические характеристики и геометрические параметры пластин, изготовленных из монокристаллов, полученных зонной плавкой
Эпитаксиальные структуры
Использование эпитаксиального наращивания для изготовления сложных структур
Селективная эпитаксия
Эпитаксиальные структуры фирмы Komatsu
Эпитаксиальные структуры фирмы Wacker Chem.
Установки для эпитаксиального наращивания
Заключение
Литература