Кузнецов Ю.Н. Перспективы использования эпитаксиальных слоев арсенида галлия

М.: ОНТИ, 1990. — 31 с.Приводятся данные о выращивании монокристаллов арсенида галлия и изготовлении из них пластин для полупроводниковых приборов. Отмечаются Особенности технологии и оборудования, обеспечивающие требуемый уровень качества структур. Для специалистов, инженеров-технологов, преподавателей, аспирантов и студентов.Перспективы использования эпитаксиальных слоев GaAs.
Введение.
Требования к монокристаллам арсенида галлия, используемым для производства ИС.
Монокристаллы.
Пластины.
Характеристики пластин GaAs.
Эпитаксиальные структуры.
Особенности технологии и оборудования, обеспечивающие требуемый уровень качества структур.
Литература.