Романенко В.Н. Получение однородных полупроводниковых кристаллов

Москва: Металлургия, 1966. — 185 с.В книге рассмотрены причины, приводящие к неоднородностям в распределении состава кристаллов, выращиваемых из расплава. Дано описание различных способов борьбы за постоянство состава кристаллов — программирование параметров роста, различные варианты зонного выравнивания и непрерывной зонной плавки, методы механической и равновесной подпитки расплава недостающим компонентом. Для всех методов выравнивания состава приведены формулы, позволяющие рассчитать необходимый режим выравнивания и оценить эффективность метода на основе величины теоретического выхода.
Рассмотрены возможности применения различных методов гомогенизации для получения кристаллов концентрированных растворов постоянного состава и кристаллов с программированным изменением состава вдоль направления роста.
Приведены методы борьбы с локальными неоднородностями состава кристаллов, возникающими в них как следствие несовершенств применяемых установок и методик.
Все методы, рассматриваемые в книге, применимы для работы не только с полупроводниковыми материалами, но и с другими кристаллами.
Книга предназначена для научных работников и инженеров, работающих в различных областях полупроводниковой металлургии и физики полупроводников, и может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующихся в области полупроводниковой металлургии.