Бейсенов Р.Е. и др. Карбид кремния: основные характеристики, способы получения и применение

Монография. — Алматы: Қазақ университеті, 2015. — 157 с. — ISBN 978-601-04-1182-1.
Бейсенов Р.Е., Мансуров З.А., Токмолдин С.Ж., А. Игнатьев А.Настоящая монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по физико-химическим свойствам, методам синтеза монокристаллов и эпитаксиальных пленок карбида кремния, а также основным областям его применения и использования. Опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах авторы рассматривают разработку наноразмерных гетероструктур для применения в различных областях электроники. Значительное место в монографии уделено синтезу и исследованию свойств пленок карбида кремния методами пульсирующего лазерного осаждения и металлорганического химического парофазного осаждения на подложках сапфира и кремния.
В первой главе описываются основные физико-химические свойства карбида кремния. Показаны различные модификации кристаллической структуры, постоянные решеток карбида кремния.
Вторая глава посвящена различным методам синтеза кристаллов карбида кремния. Показаны основные технологические особенности синтеза кристаллов карбида кремния полупроводникового качества и абразивной промышленности. Описаны положительные и отрицательные стороны методов синтеза SiC.
В третьей главе рассмотрены различные методы осаждения эпитаксиальных пленок SiC, как: химическое осаждение из паровой фазы (CVD), а также его различные модификации, молекулярно-лучевая эпитаксия, ионно-плазменные методы осаждения, пульсирующего лазерного осаждения и т.д. Описаны основные параметры осаждения пленок SiC, а также их влияние на формирование кристаллической структуры, политипа и морфологии.
В четвертой главе показаны результаты работ по осаждению пленок карбида кремния на подложке сапфира методом пульсирующего лазерного осаждения, проделанная совместно с Институтом проблем горения (Алматы), Физико-техническим институтом (Алматы) и Университетом Хьюстона (г. Хьюстон, США).
В пятой главе представлены результаты синтеза пленок карбида кремния на подложках кремния различной ориентации и сапфира в высокотемпературном тубулярном реакторе методом MOCVD c использованием прекурсора DEMS. Показаны данные по морфологии, кристаллической структуре и элементного состава синтезированных пленок карбида кремния.
Шестая глава посвящена результатам синтеза пленок карбида кремния новым фотовспомогательным MOCVD-методом на подложках кремния и сапфира, разработанным PhD Бейсеновым Р. в Университете Хьюстона. Подробно изложены данные о морфологии, структуре, элементном анализе синтезированных пленок карбида кремния.
В седьмой главе описываются основные области использования и возможности применения карбида кремния. Основная часть главы посвящена применению монокристаллических подложек и гетероструктур в различных областях опто-, микро- и наноэлектроники.
Монография рассчитана на широкий круг специалистов в области химии, физики и технологии полупроводниковых материалов и приборов, а также студентов, магистрантов и PhD докторантов соответствующих специальностей.