Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. Том 1

Москва: Издательство иностранной литературы, 1965. — 416 с.Книга представляет собой первую и пока единственную попытку глубокого и систематического изложения теоретических основ химии твердого тела и их приложений к большому числу физико-химических и химических процессов, происходящих в объеме и на поверхности твердых тел. Изложена теория ионного и электронного разупорядочения кристаллических тел и рассмотрены связанные с этим вопросы электропроводности и диффузии, а также электрические явления в граничном слое. Преимущественное внимание уделено ионным и валентным кристаллам. Подробно изложены основы теории граничного слоя и ее применение к вопросам адсорбции и катализа. Содержится обширный материал по влиянию дефектов структуры и примесей на электронные свойства полупроводников.
Везде, где это возможно, теории придан количественный характер, проведено детальное сопоставление с опытными данными и рассмотрены экспериментальные методы получения этих данных.
Книга рассчитана на научных работников и инженеров, работающих в областях физики и химии полупроводников, адсорбции и катализа, а также в области химических реакций твердых тел.