Кольцов Г.И. СВЧ-приборы и интегральные микросхемы. Раздел: Расчет параметров селективно легированного гетеротранзистора

Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1998. — 30 с.Излагаются физические принципы создания на границе гетероперехода, между широкозонным и узкозонным полупроводниковыми материалами, слоя двумерного электронного газа. Рассматриваются причины увеличения подвижности электронов и как следствие расширения частотного диапазона работы полевых транзисторов с селективным легированием, их конструкции и методы управления концентрацией электронов в канале. Приводятся примеры расчета концентрации электронов, вольт-амперных и частотных характеристик СЛГТ.Введение.
Энергетическая диаграмма GaAs на гетерогранице и расчет поверхностной концентрации электронов в потенциальной яме.
Управление зарядом двумерного электронного газа с помощью напряжения на затворе.
Семейство выходных вольт-амперных характеристик СЛГТ. Расчет тока стока.
Крутизна вольт-амперной характеристики СЛГТ.
Расчет емкостей затвора СЛГТ и граничной частоты.
Литература.