Ладыгин Е.А., Паничкин А.В., Горюнов Н.Н., Мурашов В.Н., Галеев А.П. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Раздел: Механизмы образования и физическая природа радиационных процессов в полупроводниковых структурах. Курс лекций

Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1994. — 117 с.Посвящено анализу воздействия радиационного облучения и последующей термической обработки на различные типы диодов и биполярных транзисторов: физическая природа и термостабильность возникающих радиационных центров, изменение основных электрических параметров приборных структур, этапы проведения радиационно-термической обработки и эффективность использования РТП для управления параметрами дискретных приборов. Приведены технические характеристики основных установок, применяющихся для проведение радиационной обработки. Предназначено для студентов специальности 20.03.Введение.
Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах и анализ возможных областей их использования.
Биполярные транзисторы.
Влияние облучения на коэффициент усиления транзистора.
Особенности радиационных эффектов в структуре Si – SiO₂.
Диодные структуры.
Устойчивость радиационных изменений электрических параметров полупроводниковых приборов.
Основные пути повышения радиационной стойкости полупроводниковых приборов и микросхем.
Операции РТП, Техника их проведения и перспективы развития.
Операции РТП и методика выбора оптимальных режимов.
Источники проникающей радиации и методика технологического облучения полупроводниковых приборов и микросхем.
Пути повышения эффективности использования ускорителей электронов в радиационной технологии ППП и ИС.
Применение радиационного технологического процесса для повышения качества и увеличения выпуска дискретных полупроводниковых приборов.
Применение РТП для улучшения импульсных и регулирования усилительных параметров биполярных транзисторов.
Исключение диффузии золота из технологии импульсных транзисторов при внедрении РТП.
Повышение радиационной стойкости и срока службы биполярных транзисторов при использовании РТП.
Примеры эффективности РТП для повышения качества полупроводниковых приборов различных классов.
Использование изотопного облучения в радиационной технологии ППП.
Специфика протонного технологического облучения полупроводниковых структур и методика экспериментов.
Экспериментальные результаты использования протонного облучения для улучшения параметров ППП.
Литература.