Ладыгин Е.А. (ред.). Основы радиационной технологии микроэлектроники. Раздел: Первичные процессы образования радиационных центров в полупроводниковых кристаллах

Курс лекций. — М.: МИСиС, 1994. — 101 с.Рассмотрены механизмы взаимодействия различных видов проникающего излучения (высокоэнергетичные нейтроны, электроны, протоны и гамма-кванты) с полупроводниковыми материалами, и процессы образования в кристаллической решетке полупроводника стабильных радиационных центров. Проанализированы свойства остальных радиационных центров в кремнии и германии, и влияние на основные электрофизические параметры полупроводника.Введение.
Процессы образования термостабильных радиационных центров в полупроводниках.
Взаимодействие проникающих излучений с полупроводниками. Первичные эффекты.
Количественная оценка полного числа смещений в объеме полупроводника при облучении.
Механизмы образования и физическая природа термостабильных радиационных центров в полупроводниках.
Свойства радиационных центров в полупроводниковых материалах.
Свойства радиационных центров в германии и кремнии.
Изменение основных электрофизических параметров германия и кремния при облучении.
Отжиг радиационных центров в полупроводниках.
Литература.Авторы: Е.А.Ладыгин, А.В.Паничкин, Н.Н.Горюнов, В.Н.Мурашов, А.П.Галеев