Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2004. — Т. 126. — Вып. 1. — С. 170–180.
Теоретически исследовано туннелирование электронов через гетероструктуру с двумя барьерами и квантовой ямой между ними в магнитном поле, перпендикулярном току. Учтен вклад в ток от электронов с различным положением центра магнитного осциллятора. Показано, что с усилением магнитного поля происходит сужение области Z-образности вольт-амперной характеристики гетероструктуры. Анализ показывает, что существует критическое значение напряженности магнитного поля, при котором Z-образная вольт-амперная характеристика переходит в N-образную. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными.