Новосибирск: ВО «Наука». Сибирская издательская фирма, 1993.- 280 с. ISBN: 5-02-030198-1.
В книге представлены результаты фундаментальных исследований по строению, электронной структуре, оптическим свойствам (включая фотоэмиссию), природе глубоких центров в наиболее важных диэлектриках кремниевых интегральных схем — аморфных нитридах и окислах кремния (SiO2, Si3N4, SiOx. SiNxOy, SiNx:H). Отличительной особенностью настоящего издапия является обсуждение физических свойств во взаимосвязи с атомным составом и технологией.
Монография представляет интерес для физиков (теоретиков и экспериментаторов), работающих в области физики неупорядоченных конденсированных систем, для разработчиков полупроводниковых приборов и микросхем.