М.: Техносфера, 2016. — 328 c. В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию методов входного и технологического контроля при разработке и производстве СВЧ транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетероструктурах типа AIGaN/GaN. Рассмотрены системы отечественных и зарубежных стандартов, на основе которых проводятся разработки...
М.: Радио и связь, 1981. — 136 с.: ил. Изложены особенности механизма умножения частоты на нелинейной полупроводниковой емкости. Проанализированы физические процессы в диоде при воздействии больших синусоидальных сигналов и рассмотрены аналитические соотношения между параметрами диода и электрофизическими характеристиками полупроводникового материала. Рассмотрены система...
Комментарии